Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4410DY
MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4410
SI4410DY Hakkında
SI4410DY, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V Drain-Source gerilimi ve 10A sürekli drain akımı ile çalışır. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulur. Rds(on) değeri 10V gate geriliminde 13.5mOhm olup, 4.5V ve 10V drive voltajlarında optimum performans gösterir. Gate threshold gerilimi 250µA akımda maksimum 1V'dur. ±20V maksimum gate-source gerilimi ile çalışır. -55°C ile +150°C arasında işletme sıcaklık aralığında kullanılabilir. 2.5W maksimum güç tüketimine sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri, DC/DC konverterleri ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. Ürün obsolete statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 60 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1350 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.5mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok