Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4410BDY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 7.5A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4410
SI4410BDY-T1-GE3 Hakkında
SI4410BDY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajı ve 7.5A sürekli drenaj akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 13.5mΩ (10V, 10A'de) düşük on-direnci sayesinde anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücülerde tercih edilir. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Düşük gate charge (20nC @ 5V) hızlı komütasyona olanak tanır. Şu anda üretimi durdurulmuş (Obsolete) durumda olup, yedek çözüm arayışında olan tasarımcılar için referans komponendir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.4W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.5mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok