Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI4410BDY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 7.5A 8SO

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
SI4410

SI4410BDY-T1-E3 Hakkında

SI4410BDY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 7.5A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, düşük güç kaybı uygulamaları için tasarlanmıştır. 13.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sunmaktadır. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bu transistör, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüler ve aydınlatma kontrol devreleri gibi endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında çalışabilir. Ürün mevcut olmayan (Obsolete) statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 5 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.5mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok