Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4409DY-T1-E3
MOSFET P-CH 150V 1.3A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4409DY
SI4409DY-T1-E3 Hakkında
SI4409DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 150V drain-source voltaj ile 1.3A sürekli akım kapasitesine sahip bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (1.2Ω @ 500mA, 10V) ile verimli anahtarlama işlemi gerçekleştirir. 8-SOIC yüzey montajlı paket tasarımı kompakt uygulamalara uygun olup, -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında güvenilir çalışmadır. Gate charge değeri 12nC ile hızlı anahtarlama özelliği sunmakta, güç yönetimi devrelerinde, anahtarlama uygulamalarında ve impedans kontrol sistemlerinde kullanılmaktadır. 2.2W (Ta) maksimum güç tüketimi ile sınırlı alanlarda düşük ısı üretimi sağlar. Not: Bu ürün obsolete (üretimi durdurulmuş) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 332 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.2W (Ta), 4.6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok