Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4408DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 14A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4408DY
SI4408DY-T1-GE3 Hakkında
SI4408DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilim (Vdss) ve 14A sürekli dren akımı (Id) kapasitesine sahiptir. 10V gate geriliminde 4.5mΩ maksimum drain-source direnci (RDS-On) ile düşük kayıp uygulamalar için tasarlanmıştır. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, DC-DC konvertörleri, güç anahtarlaması, motor sürücüleri ve yük anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C sıcaklık aralığında çalışabilir ve maksimum 1.6W güç dağıtabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 32 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 21A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA (Min) |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok