Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI4408DY-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 14A 8SO

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
SI4408DY

SI4408DY-T1-E3 Hakkında

SI4408DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain to Source gerilimi ve 14A sürekli drenaj akımı ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 4.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kontak direnci sağlar. 8-SOIC yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç yönetimi uygulamaları ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32 nC @ 4.5 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.5mOhm @ 21A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok