Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4406DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4406DY
SI4406DY-T1-GE3 Hakkında
SI4406DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi, 13A sürekli drain akımı ve 4.5mΩ RDS(on) değerleri ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Gate charge değeri 50nC olup, hızlı komütasyon işlemleri gerektiren DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi sistemlerinde tercih edilir. ±20V maksimum gate gerilimi ile geniş uygulama alanına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok