Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4403DDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 15.4A 8SOIC
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4403DDY
SI4403DDY-T1-GE3 Hakkında
SI4403DDY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 15.4A sürekli drenaj akımı ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 8-SOIC yüzey montajlı paket içerisinde sunulan bu bileşen, 4.5V gate voltajında 14mΩ on-direnç değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasındaki çalışma sıcaklığı aralığı ile geniş uygulama yelpazesini destekler. Düşük kapı yükü (99nC) sayesinde hızlı anahtarlama performansı sunmakta ve güç yönetimi, motor kontrol ve kuvvetli LED sürücü devreleri gibi uygulamalarda tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 15.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 99 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3250 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 9A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok