Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4403CDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 13.4A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4403
SI4403CDY-T1-GE3 Hakkında
SI4403CDY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 13.4A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 4.5V gate geriliminde 15.5mΩ maksimum Rds(on) değerine sahiptir. 90nC gate yükü ve 2380pF input kapasitesi ile hızlı anahtarlamalar sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışır. Pil yönetimi, motor kontrolü, röle kontrol devreleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi düşük voltaj güç uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 90 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2380 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.5mOhm @ 9A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok