Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4401FDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 9.9A/14A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4401FDY
SI4401FDY-T1-GE3 Hakkında
SI4401FDY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source gerilimi ve 9.9A (Ta) / 14A (Tc) sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 8-SO yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, düşük 14.2mOhm on-state direnci (10V Vgs'de) sayesinde anahtarlama uygulamalarında ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Mobil cihazlar, güç kaynakları, batarya yönetimi sistemleri ve endüstriyel kontrol devrelerinde yaygın olarak uygulanmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.9A (Ta), 14A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 100 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4000 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.2mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok