Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI4401DY-T1-E3

MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
SI4401

SI4401DY-T1-E3 Hakkında

SI4401DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source gerilimi ve 8.7A sürekli drain akımı ile çalışmaya elverişlidir. 8-SOIC yüzey montajlı paket içerisinde sunulan bu bileşen, 10V gate geriliminde 15.5mOhm Rds(On) değerine sahiptir. Güç yönetimi, anahtarlama devreleri, batarya kontrol sistemleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına dayanabilir. Ürün artık üretilmemektedir (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 5 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.5mOhm @ 10.5A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA (Min)

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok