Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4401DDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 16.1A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4401DDY
SI4401DDY-T1-GE3 Hakkında
SI4401DDY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltajında 16.1A sürekli akım kapasitesine sahip bu bileşen, 8-SOIC yüzeye monte paket içinde sunulmaktadır. 10V gate voltajında 15mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybına sahiptir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve genel amaçlı DC anahtarlamada kullanılır. Gate charge değeri 95nC olup, hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 16.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 95 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3007 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 6.3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15mOhm @ 10.2A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok