Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI4401BDY-T1-E3

MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
SI4401

SI4401BDY-T1-E3 Hakkında

SI4401BDY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltaj ve 8.7A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama ve kontrol uygulamalarında kullanılır. 8-SOIC yüzey montajlı paket içinde sunulan bu bileşen, düşük 14mOhm (10V, 10.5A'da) RDS(on) değeri sayesinde ısı kaybını minimize eder. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir ve maksimum 1.5W güç tüketiminde tasarlanmıştır. Pil yönetim sistemleri, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol ve genel amaçlı DC anahtarlamalarda uygulanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.7A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 55 nC @ 5 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 10.5A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok