Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4398DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 19A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4398DY
SI4398DY-T1-GE3 Hakkında
SI4398DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V drain-source gerilimi ve 19A sürekli dren akımı kapasitesi ile tasarlanmıştır. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 2.8mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, güç yönetimi uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrolü ve anahtarlama devreleri gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılır. 50nC gate charge ve 5620pF input capacitance özellikleri ile hızlı anahtarlama performansı sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 50 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5620 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok