Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI4398DY-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 19A 8SO

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
SI4398DY

SI4398DY-T1-E3 Hakkında

SI4398DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 20V drain-source voltajında 19A sürekli akım kapasitesine sahiptir. 8-SOIC surface mount paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, motor kontrolü, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. 2.8mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Maksimum 1.6W güç yayınlama kapasitesine sahiptir. Lojik seviyesi 4.5V ve 10V sürücü voltajları ile uyumludur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5620 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok