Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4390DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4390DY
SI4390DY-T1-GE3 Hakkında
SI4390DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source voltajında 8.5A sürekli dren akımı sağlayan bu bileşen, düşük on-direnci (9.5mOhm @ 10V) ile güç uygulamalarında verimli çalışır. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan transistör, anahtarlama devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışan cihaz, maksimum 1.4W güç tüketebilir ve ±20V kapı voltajı ile kontrol edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.4W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 12.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok