Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4390DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4390DY
SI4390DY-T1-E3 Hakkında
SI4390DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilim desteği ile 8.5A sürekli drenaj akımı sağlayabilir. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, Rds(on) değeri 10V Vgs'de 9.5mOhm olarak belirlenmiştir. Gate eşik gerilimi 250µA'de 2.8V'tur. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir ve maksimum 1.4W güç tüketimi özelliğine sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor sürücüleri ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılabilir. Ürün, mevcut olmayan (Obsolete) bir parça olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.4W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 12.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok