Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4386DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 11A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4386DY
SI4386DY-T1-E3 Hakkında
SI4386DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 11A sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 7mOhm maksimum on-state direnci (10V gate geriliminde, 16A'da) ile düşük kayıplarla çalışır. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme devreleri, motor sürücüleri, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC konvertörlerde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. 4.5V ve 10V drive voltajlarında optimize edilmiş tasarımı, düşük gate charge gereksinimi (18nC @ 4.5V) ile verimli gate sürücü tasarımlarını destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 11A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.47W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 16A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok