Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI4384DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 10A 8SO

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
SI4384DY

SI4384DY-T1-GE3 Hakkında

SI4384DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ile 10A sürekli drenaj akımı sağlayarak, güç anahtarlama ve düşük sinyalli uygulamalarda kullanılır. 8.5mΩ (10V, 15A) Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sunar. 8-SOIC yüzey montajlı paket içinde sunulan bu bileşen, -55°C ile 150°C işletme sıcaklık aralığında çalışır. Motor kontrolleri, DC/DC dönüştürücüler, LED sürücüleri ve güç yönetimi devrelerinde uygulanır. Maksimum ±20V gate-source gerilimini tolere eder. NOT: Bu ürün üretimi sonlandırılmıştır (obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18 nC @ 4.5 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.47W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok