Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4378DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 19A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4378DY
SI4378DY-T1-GE3 Hakkında
SI4378DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V Drain-Source gerilimi ve 19A sürekli dren akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 2.7mOhm RDS(on) değeri ile minimum enerji kaybında çalışan anahtarlama devreleri için uygundur. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bu transistör, güç yönetimi, motor kontrolü, LED sürücüleri ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilmesi geniş sıcaklık aralığında güvenilir performans sağlar. 1.8V eşik gerilimi ile TTL/CMOS lojik seviyelerinden doğrudan kontrol edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 19A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8500 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7mOhm @ 25A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok