Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4368DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4368DY
SI4368DY-T1-GE3 Hakkında
SI4368DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 17A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 3.2mOhm (10V, 25A'de) düşük on-resistance değeri ile enerji kaybını minimize eder. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol, power management, anahtarlama devreleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı ve 1.6W maksimum güç kaybı özelliği ile güvenilir bir performans sunar. 80nC gate charge değeri hızlı komütasyon gerektiren uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 80 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 8340 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 1.6W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok