Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI4368DY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 17A 8SO

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
SI4368DY

SI4368DY-T1-E3 Hakkında

SI4368DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj ve 17A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. RDS(on) değeri 10V gate voltajında maksimum 3.2mΩ olarak belirtilmiştir. 8-SOIC (SO-8) yüzeye monte paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklık aralığına sahiptir. 1.6W maksimum güç yayılımı kapasitesi ile düşük güç tüketimli tasarımlara uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8340 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.2mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.8V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok