Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI4354DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 9.5A 8SO

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
SI4354DY

SI4354DY-T1-GE3 Hakkında

SI4354DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 9.5A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 16.5mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim direncine sahiptir. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç dönüştürücüler, motor kontrol ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile +150°C çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Bileşen artık üretilmeyen (obsolete) statüsündedir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.5 nC @ 4.5 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.5mOhm @ 9.5A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.6V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok