Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4354DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 9.5A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4354DY
SI4354DY-T1-E3 Hakkında
SI4354DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 9.5A sürekli dren akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılır. 8-SOIC SMD paket türünde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, güç yönetimi ve motor kontrol uygulamalarında tercih edilir. Maksimum 2.5W güç dissipasyonuna sahip olup, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 10V gate geriliminde 16.5mOhm RDS(on) değeri ile verimli iletkenlik sağlar. NOT: Bu ürün tükenmekte olan (obsolete) bir komponendir; yeni tasarımlarda alternatif seçenekler değerlendirilmelidir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5 nC @ 4.5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.5mOhm @ 9.5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.6V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok