Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI4346DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 5.9A 8SO

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
SI4346DY

SI4346DY-T1-GE3 Hakkında

SI4346DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltajı ve 5.9A sürekli drain akımı ile düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon işlevleri görmektedir. 23mOhm maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç transfer sağlar. 8-SOIC yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara uygun olup, -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Endüstriyel kontrol devrelerine, DC-DC dönüştürücülere, motor sürücülerine ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Ürün artık üretilmemektedir (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.9A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.31W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23mOhm @ 8A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok