Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI4322DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 18A 8SO

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
SI4322DY

SI4322DY-T1-GE3 Hakkında

SI4322DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim desteğinde 18A sürekli dren akımı kapasitesine sahip bu bileşen, 8SO yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 10V gate geriliminde 8.5mOhm on-resistance değeriyle düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 38nC gate charge ve 1640pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar. Bileşenin ürün durumu itibariyle üretim durdurulmuştur (obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1640 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 5.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok