Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI4322DY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 18A 8SO

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
SI4322DY

SI4322DY-T1-E3 Hakkında

SI4322DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 18A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 8.5mOhm maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile +150°C arası işletme sıcaklığında çalışabilir. Surface mount 8-SOIC pakette sunulur. Motor sürücüleri, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Not: Bu ürün üretim dışı konumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1640 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 5.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.5mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok