Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI4320DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 17A 8SO

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
SI4320DY

SI4320DY-T1-GE3 Hakkında

SI4320DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ve 17A sürekli drenaj akımı ile anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 3mΩ (10V, 25A koşullarında) düşük on-state direnci sayesinde güç kaybını minimize eder. 8-SOIC yüzey montajı paketinde sunulan komponent, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüler, güç kaynakları ve anahtarlanmış güç uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. ±20V maksimum gate gerilimi ile geniş sürücü uyumluluğu sağlar. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında stabil performans sunar. (Not: Bu komponent üretim dışı durumdadır.)

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 17A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6500 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok