Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4196DY-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 8A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4196DY
SI4196DY-T1-E3 Hakkında
SI4196DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 8A sürekli dren akımı kapasitesi ile medium güç uygulamalarında kullanılır. 27mΩ maksimum RDS(on) değeri (4.5V Vgs'de) ile düşük iletim kaybı sağlar. Surface Mount 8-SOIC pakette sunulan bu bileşen, motor kontrol, güç yönetimi, anahtar uygulamaları ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı, endüstriyel ortamlar için uygundur. Hızlı anahtarlama özelliği sayesinde 22nC gate charge değeri ile etkin frekanslarda çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 8 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 830 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2W (Ta), 4.6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 27mOhm @ 8A, 4.5V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok