Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4190DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 20A 8-SOIC
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4190DY
SI4190DY-T1-GE3 Hakkında
SI4190DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 20A sürekli drain akımı ile tasarlanmış olup, 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 10V gate geriliminde 8.8mΩ on-direnci ile düşük güç kaybı sağlar. 58nC gate charge ve 2000pF input kapasitansi özellikleriyle hızlı anahtarlama uygulamalarında kullanılabilir. Motor kontrol, anahtarlama güç kaynakları, DC-DC konvertörleri ve güç yönetimi devrelerinde yer alan tipik uygulamalar arasındadır. Bileşen üretimden kaldırılmış (obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 58 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2000 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Part Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok