Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4190ADY-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 18.4A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4190ADY
SI4190ADY-T1-GE3 Hakkında
SI4190ADY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 18.4A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta-yüksek güç uygulamalarında kullanılır. 8.8mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Surface mount 8-SOIC paket ile PCB'ye direkt monte edilir. Endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüler, DC-DC konvertörler, anahtar modlu güç kaynakları ve similatör uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 10V gate voltajda optimize edilmiş performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 67 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1970 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.8mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok