Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4178DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4178DY
SI4178DY-T1-GE3 Hakkında
SI4178DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj ve 12A sürekli drain akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, güç yönetimi, anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 8-SOIC surface mount paketinde sunulan transistör, 21mΩ maksimum Rds(on) değeriyle düşük kayıp işletme sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen SI4178DY, endüstriyel kontrol devreleri, motor sürücüleri, anahtarlamalı güç kaynakları ve batarya yönetim sistemlerinde yer alır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 405 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.4W (Ta), 5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21mOhm @ 8.4A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok