Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4174DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 17A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4174DY
SI4174DY-T1-GE3 Hakkında
SI4174DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V Drain-Source gerilimi ile 17A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 8-SOIC yüzey montajlı paket ile tasarlanmıştır. Vgs = 10V'da 9.5mOhm'luk düşük on-resistance (Rds) değeri sunarak verimli anahtarlama sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Gate Charge 27nC @ 10V ve Vgs(th) 2.2V @ 250µA'dir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. 2.5W (Ta) / 5W (Tc) güç disipasyon kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 985 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok