Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4168DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 24A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4168DY
SI4168DY-T1-GE3 Hakkında
SI4168DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi ve 24A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. 8-SOIC yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 10V kapı geriliminde 5.7mΩ maksimum RDS(on) değerine sahiptir. Gate charge değeri 44nC (10V) olup, 44nC giriş kapasitansı 1720pF (15V)'dir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu MOSFET, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi ve motor kontrol devrelerinde yaygın olarak kullanılır. ±20V maksimum gate gerilimi ve 3V threshold voltajı ile düşük sinyal kontrollü anahtarlama gerektiren tasarımlara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1720 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.7mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok