Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4166DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 30.5A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4166DY
SI4166DY-T1-GE3 Hakkında
SI4166DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V drain-source voltaj (Vdss) ve 30.5A sürekli drain akımı (Id) kapasitesi ile yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. 3.9mOhm maksimum RDS(on) değeri düşük iletim kaybı sağlar. 8-SOIC yüzey montaj paketi ile kompakt devre tasarımlarında kullanılır. Güç yönetimi, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilen bir bileşendir. -55°C ile +150°C arasında işletme sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 65 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2730 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 6.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.9mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok