Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4160DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 25.4A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4160DY
SI4160DY-T1-GE3 Hakkında
SI4160DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 30V Drain-Source gerilim ile 25.4A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 4.9mOhm maksimum Rds(On) değeri ile düşük iletim direnci sağlar. 8-SOIC (SO-8) yüzey montaj paketinde sunulur. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ile 150°C) sayesinde endüstriyel ve ticari uygulamalara uygundur. Güç yönetimi, motor kontrol, LED sürücüleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılmaktadır. 54nC gate charge ile hızlı anahtarlama karakteristiği gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2071 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.9mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok