Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4158DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 36.5A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4158DY
SI4158DY-T1-GE3 Hakkında
SI4158DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 36.5A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç yönetimi, motor kontrol ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 2.5mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp işletme sağlar. 8-SOIC yüzey monte paketinde sunulur. -55°C ile 150°C arasında çalışmaya uygun olup, 4.5V ve 10V drive voltajlarında optimize edilmiştir. Gate charge değeri 132nC ile hızlı anahtarlama performansı sunar. Uygulamalar arasında DC-DC konvertörler, LED sürücüler, relay kontrol devreleri ve endüstriyel anahtarlama sistemleri yer alır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 36.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 132 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5710 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok