Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI4154DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 36A 8SO

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
SI4154DY

SI4154DY-T1-GE3 Hakkında

SI4154DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source voltajında 36A sürekli akım sağlayabilen bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (3.3mΩ @ 10V) ile yüksek verimli anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 8-SOIC yüzey montajlı paket ile DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi devreleri, motor sürücüleri ve batarya yönetim sistemlerinde tercih edilir. -55°C ile +150°C arası çalışma sıcaklık aralığı geniş ortam koşullarında işletilmesine olanak tanır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 36A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4230 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok