Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4153DY-T1-GE3
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET SO-8
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4153DY
SI4153DY-T1-GE3 Hakkında
SI4153DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ile tasarlanan bu bileşen, 14.3A (Ta) ve 19.3A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. SO-8 surface mount paketinde sunulan transistör, düşük 9.5mOhm on-resistance değeri ile güç uygulamalarında verimli anahtarlama sağlar. 2.5V gate threshold voltajı ile hızlı sürülebilir. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına dayanıklı olup, 3.1W (Ta) / 5.6W (Tc) maksimum güç dissipasyonu ile endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde, batarya anahtarlamasında ve motor kontrol sistemlerinde kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14.3A (Ta), 19.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 93 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3600 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 5.6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok