Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4143DY-T1-GE3
MOSFET P-CHANNEL 30V 25.3A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4143DY
SI4143DY-T1-GE3 Hakkında
SI4143DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 25.3A sürekli drenaj akımı ile düşük güç uygulamalarında anahtar ve amplifikasyon işlevlerini gerçekleştirir. 6.2mOhm tipik on-direnci (Rds On) sayesinde enerji kaybını minimize eder. Surface Mount 8-SOIC paketinde sunulan bileşen, -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sağlar. Motor kontrol, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve analog anahtar uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 167 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6630 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TA) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.2mOhm @ 12A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok