Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI4136DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 46A 8SO

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
SI4136DY

SI4136DY-T1-GE3 Hakkında

SI4136DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ile 46A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 8-SOIC yüzey monte paketi içerisinde sunulan bu transistör, 2mΩ maksimum on-direnci (RDS(on)) ve düşük geçit yükü (110nC) ile ayırıcı özellikleri barındırır. -55°C ile 150°C arası sıcaklık aralığında çalışabilir. Uygulamalarında DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri, yüksek akımla elektronik anahtarlama ve güç yönetimi sistemleri yer almaktadır. ±20V geçit gerilimi ile çalışan transistör, hızlı anahtarlama ve düşük ısıl kayıplar sağlar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 46A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4560 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok