Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4122DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 27.2A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4122DY
SI4122DY-T1-GE3 Hakkında
SI4122DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilim kapasitesi ve 27.2A sürekli drain akımı ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 4.5mOhm RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama hızı gerektiren DC/DC dönüştürücüler, motor sürücüler ve güç kaynağı devrelerine uygundur. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. 95nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 27.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 95 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4200 pF @ 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 6W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok