Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4116DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 18A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4116DY
SI4116DY-T1-GE3 Hakkında
SI4116DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V drain-source gerilimi ve 18A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 8.6mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kanalı direnci sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışır. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulur. Motor kontrol, güç kaynakları, hızlı anahtarlama devreleri ve voltaj düzenleyiciler gibi uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 56 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1925 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.6mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok