Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

SI4116DY-T1-E3

MOSFET N-CH 25V 18A 8SO

Üretici
Vishay
Paket/Kılıf
8-SOIC
Seri / Aile Numarası
SI4116DY

SI4116DY-T1-E3 Hakkında

SI4116DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 25V drain-source gerilimi ve 18A sürekli drenaj akımı ile orta güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 8.6mΩ maksimum on-state direnç (RDS(on)) ile düşük güç kaybı sağlar. Surface mount 8-SOIC paket ile PCB entegrasyonu kolaylaştırılmıştır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Motor kontrolü, anahtarlama güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve yük yönetimi gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1925 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.6mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package 8-SOIC
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok