Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4114DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4114DY
SI4114DY-T1-GE3 Hakkında
SI4114DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V Drain-Source gerilim ve 20A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 6mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 8-SOIC yüzey monte paket içinde sunulur. Güç yönetimi uygulamaları, motor kontrol devreleri, güç kaynakları ve elektrik aletleri gibi alanlarda anahtarlama elemanı olarak kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışır ve 10V gate geriliminde 95nC gate charge değerine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 95 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3700 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 5.7W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok