Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4110DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 80V 17.3A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4110DY
SI4110DY-T1-GE3 Hakkında
SI4110DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source voltaj ve 17.3A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 13mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 8-SOIC yüzey montajı paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, motor sürücüleri, LED aydınlatma ve endüstriyel kontrol uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Maksimum 3.6W (Ta) güç tüketimi ile kompakt tasarımlarda tercih edilir. Not: Bu ürün üretim dışındadır (Obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 17.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2205 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 3.6W (Ta), 7.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 11.7A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok