Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4108DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4108DY
SI4108DY-T1-GE3 Hakkında
SI4108DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 75V drain-source gerilim ve 20.5A sürekli dren akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. 9.8mΩ (10V, 13.8A) RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sunar. Gate charge 54nC @ 10V'dir. Surface mount 8-SOIC paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi sistemlerinde kullanılır. Vgs(th) değeri 4V @ 250µA'dır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20.5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75 V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 54 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2100 pF @ 38 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Part Status | Obsolete |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.8mOhm @ 13.8A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok