Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4104DY-T1-E3
MOSFET N-CH 100V 4.6A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4104DY
SI4104DY-T1-E3 Hakkında
SI4104DY-T1-E3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilimi ve 4.6A sürekli drain akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 8-SOIC yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 105mOhm (10V, 5A) RDS(on) değeri ile verimli çalışma sağlar. Maksimum 2.5W (Ta) güç tüketimi ile tasarlanmıştır. -55°C ile 150°C arası çalışma sıcaklığı aralığında çalışabilir. (Not: Bu ürün Obsolete statüsündedir.)
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 446 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok