Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4103DY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 14A/16A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SO
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4103DY
SI4103DY-T1-GE3 Hakkında
SI4103DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 14A (25°C'de), 16A (soğutucuda) sürekli akım yeteneği ile tasarlanmıştır. 8-SO yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, 10V gate geriliminde 7.9mOhm Rds(On) değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Güç yönetimi, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama uygulamalarında kullanılan bu bileşen, düşük on-resistance ve hızlı anahtarlama özellikleri sayesinde verimli devre tasarımlarına olanak sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Ta), 16A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 140 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5200 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 5.2W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.9mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SO |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok