Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
SI4102DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 3.8A 8SO
- Üretici
- Vishay
- Paket/Kılıf
- 8-SOIC
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- SI4102DY
SI4102DY-T1-GE3 Hakkında
SI4102DY-T1-GE3, Vishay tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim, 3.8A sürekli dren akımı ve 158mΩ maksimum on-direnci ile karakterize edilmiştir. 8-SOIC SMD paket formatında sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri ve motor kontrolü gibi alanlarda kullanılır. ±20V gate gerilimi toleransı ve -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı geniş uygulama yetenekleri sağlar. Maksimum 11nC gate yükü ve 370pF giriş kapasitansi ile hızlı anahtarlama performansı sunar. (Not: Bu ürün artık üretilmemektedir)
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 370 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 2.4W (Ta), 4.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 158mOhm @ 2.7A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-SOIC |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok